22 DE MAYO DE 2026 — La industria mundial de obleas semiconductoras está experimentando un profundo repunte estructural en 2026, impulsada por el auge de la implementación de inteligencia artificial (IA), la iteración de memoria de gran ancho de banda (HBM), la innovación de chips lógicos avanzados y la expansión de la capacidad a gran escala de las principales fábricas de obleas en todo el mundo, según el último análisis industrial publicado por SEMI y las principales instituciones de investigación de mercado.
Las aplicaciones relacionadas con la IA se han convertido en la principal fuerza impulsora del crecimiento continuo de la demanda de obleas de alta gama. Los datos de la industria muestran que la demanda de obleas impulsadas por IA se ha disparado 11 veces entre 2022 y 2026, abarcando obleas epitaxiales avanzadas para chips lógicos y obleas pulidas para módulos HBM. En el primer trimestre de 2026, persistió la fuerte demanda de obleas de silicio que soportan hardware de centros de datos de IA, y la demanda del mercado se ha expandido gradualmente a dispositivos semiconductores de administración de energía, formando una tendencia de crecimiento de la demanda en todo el escenario en los sectores de informática de alto rendimiento y electrónica de consumo.
Como fundición de obleas líder en el mundo, TSMC lidera la ola de expansión global de la capacidad de obleas de alta gama. Se espera que la capacidad de proceso avanzado de la compañía para chips A16 de 2 nm y de próxima generación alcance una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 70 % entre 2026 y 2028. Mientras tanto, su capacidad de empaquetado avanzado CoWoS (Chip on Wafer on Substrate) mantendrá una CAGR de más del 80 % entre 2022 y 2027 para satisfacer la explosiva demanda de empaquetado de chips de IA. La capacidad de proceso de 3 nm de TSMC ha estado funcionando a plena carga desde principios de 2026, y la empresa ha lanzado un plan de expansión de capacidad masiva que incluye nueve fases de construcción de fábricas de obleas para asegurar el suministro para sus clientes principales, incluidos Nvidia, Apple, Qualcomm y AMD. Los expertos de la industria revelan que la mayor parte de la capacidad inicial de obleas de proceso de 2 nm de TSMC se habrá reservado por completo a lo largo de 2026.
Los avances tecnológicos en la fabricación de obleas y los equipos de litografía están potenciando aún más la modernización industrial. ASML ha logrado avances significativos en la tecnología de fuentes de luz ultravioleta extrema (EUV), y se espera que la solución mejorada aumente la producción global de chips de obleas en un 50 % para 2030. En marzo de 2026, el centro belga de investigación en microelectrónica imec recibió oficialmente el sistema EXE:5200 High NA EUV de ASML, la herramienta de litografía más avanzada del mundo, lo que marca un hito clave para que la industria de semiconductores ingrese a la etapa de fabricación de obleas de la era angstrom. Además, la tecnología de planarización adaptativa (IAP) basada en inyección de tinta recientemente desarrollada por Canon logra un procesamiento de superficie de oblea ultrasuave, resolviendo los principales cuellos de botella técnicos para la fabricación avanzada de obleas de alta precisión.
La optimización del diseño industrial regional también se ha convertido en una tendencia clave en el mercado de obleas de 2026. China está acelerando la localización de obleas de semiconductores de alta gama para mejorar la independencia de la cadena de suministro. Múltiples proyectos de obleas de 300 mm (12 pulgadas) han entrado en las etapas de producción en masa y puesta en servicio, y la segunda fase de la línea de producción de obleas de silicio de 12 pulgadas de Zhengzhou Hejing está programada para operar oficialmente en junio de 2026 después de completar la depuración de la línea completa y el acoplamiento de certificación del cliente. El país apunta a una tasa de autosuficiencia nacional de más del 70% en obleas de silicio avanzadas para fines de 2026, lo que aliviará efectivamente la presión mundial sobre el suministro de obleas de alta gama.
Ante la escasez de oferta mundial de obleas de nodos avanzados, la competencia industrial se ha intensificado significativamente. Además de la posición de liderazgo de TSMC en procesos de vanguardia, el proceso 18A de Intel, la tecnología avanzada de fabricación de obleas de Samsung y Rapidus de Japón están acelerando la I+D y el diseño de capacidad, formando una competencia de múltiples patrones en el mercado global de obleas de alta gama. Los analistas de mercado predicen que el desequilibrio estructural entre la oferta y la demanda de obleas avanzadas continuará durante 2026 y 2027, mientras que la iteración tecnológica y la expansión de la capacidad localizada remodelarán aún más el panorama industrial mundial de obleas semiconductoras.
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