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Los avances globales en obleas redondas impulsan la mejora de la cadena de suministro de semiconductores en 2026

2026,06,09
9 de junio de 2026 – HANGZHOU – La industria mundial de semiconductores está siendo testigo de un cambio fundamental en la tecnología de oblea redonda (oblea circular), a medida que los principales actores avanzan en soluciones de gran tamaño, alta pureza y banda prohibida amplia para satisfacer la creciente demanda de chips de IA, vehículos eléctricos (EV) y electrónica industrial. Este impulso está remodelando las cadenas de suministro, impulsando la eficiencia de costos y acelerando la sustitución interna en mercados clave.

Las obleas redondas de SiC y GaN de 300 mm entran en producción en masa

En un desarrollo histórico, Wolfspeed, líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC), anunció la primera oblea redonda de SiC monocristalino de 300 mm (12 pulgadas) de producción masiva a principios de 2026. El mayor diámetro aumenta el rendimiento del chip en más de un 40 % en comparación con las obleas tradicionales de 200 mm, lo que reduce significativamente los costos unitarios de los dispositivos de alta potencia utilizados en centros de datos de IA, sistemas de propulsión de vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
Un progreso paralelo en la tecnología de nitruro de galio (GaN) surgió de Toyota Gosei, que desarrolló con éxito una oblea redonda monocristalina de GaN de 8 pulgadas (200 mm) para transistores verticales. La innovación permite dispositivos de energía de mayor densidad para infraestructura 5G y sistemas de carga rápida, abordando desafíos de larga data en la fabricación de obleas de GaN de gran diámetro, más allá de las 4 pulgadas.

Expansión del suministro de obleas de silicio y tendencias de precios

Los fabricantes mundiales de obleas de silicio están aumentando la capacidad de 300 mm para satisfacer la demanda impulsada por la IA. GlobalWafers, un proveedor clave, aumentó su inversión en EE. UU. a **7.500 millones de dólares** para lanzar una nueva fábrica de 300 mm en Texas, la primera en Estados Unidos en 20 años, con el apoyo de 406 millones de dólares de financiación de la Ley CHIPS. La instalación tiene como objetivo generar más de 600 puestos de trabajo para 2028, fortaleciendo la resiliencia de la cadena de suministro occidental.
La dinámica del mercado cambió en el segundo trimestre de 2026 cuando los principales proveedores anunciaron aumentos de precios de entre un 5% y un 8% para las obleas de silicio de 300 mm, citando la escasez de capacidad, el aumento de los costos de las materias primas y la fuerte demanda de las fundiciones de nodos avanzados. Las obleas de alta gama para IA y aplicaciones automotrices experimentaron aumentos aún más pronunciados (18-22%), lo que refleja un déficit de oferta que se espera que persista hasta 2027.

El objetivo de localización del 70% de China remodela el panorama global

China se ha fijado un objetivo agresivo para alcanzar el 70% del suministro interno de obleas redondas de silicio de 12 pulgadas para finales de 2026 , frente al 28% en 2025. Este impulso tiene como objetivo reducir la dependencia de los proveedores japoneses (Shin-Etsu, SUMCO) y taiwaneses, que actualmente controlan más del 60% de la capacidad mundial. Empresas nacionales como Shanghai Simgui y JCET Group están acelerando fábricas de 300 mm, con el apoyo de subsidios gubernamentales y asociaciones con diseñadores de chips.
La campaña de localización se produce en medio de tensiones en la cadena de suministro global, luego de las restricciones a las exportaciones de equipos semiconductores holandeses y las “reglas de penetración del 50%” de Estados Unidos que limitan el acceso chino a materiales avanzados. Como resultado, se prevé que la participación de China en la producción mundial de obleas aumente al 32% en 2026 , la tasa de crecimiento más rápida del mundo.

Perspectivas de futuro: tamaños más grandes y formas alternativas

Los analistas de la industria predicen que 300 mm se convertirá en la corriente principal para aplicaciones de alta gama para 2027, mientras que la I+D de obleas de 450 mm avanza para chips de IA de próxima generación. En particular, Lam Research y Mitsubishi Materials están explorando paneles cuadrados como una alternativa a las obleas redondas para envases avanzados, ofreciendo entre un 20% y un 30% más de utilización de chips y menos desperdicio. Sin embargo, las obleas redondas seguirán siendo dominantes en la mayor parte de la fabricación de semiconductores durante la década debido a la compatibilidad establecida de los equipos y la madurez del proceso.
Como base de todos los dispositivos semiconductores, las obleas redondas son fundamentales para la competitividad tecnológica global. Los avances de 2026 en obleas de gran tamaño de SiC/GaN, la expansión del suministro de silicio y el impulso de localización de China están impulsando colectivamente un ecosistema de semiconductores más resiliente, eficiente e innovador en todo el mundo.
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Autor:

Mr. anguang

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